Številka izdelka proizvajalca:
BSS314PEH6327XTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS314PEH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Zaloga:
37184 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799029
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS314PEH6327XTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 6.3µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
294 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
BSS314
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSS314PE H6327CT-DG
BSS314PEH6327XTSA1CT
BSS314PEH6327XTSA1TR
BSS314PE H6327DKR
BSS314PEH6327XTSA1DKR
BSS314PE H6327CT
BSS314PE H6327-DG
BSS314PE H6327DKR-DG
SP000928944
BSS314PE H6327
BSS314PE H6327TR-DG
BSS314PEH6327
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
