Številka izdelka proizvajalca:
BSS315PH6327XTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS315PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Zaloga:
11540 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12829585
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS315PH6327XTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 11µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
282 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT23
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
BSS315
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSS315PH6327XTSA1TR
BSS315PH6327XTSA1DKR
BSS315P H6327DKR
BSS315P H6327TR-DG
BSS315PH6327
2156-BSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327CT-DG
ROCINFBSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327
BSS315P H6327-DG
BSS315P H6327DKR-DG
BSS315P H6327CT
BSS315PH6327XTSA1CT
SP000928946
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK7528-100A,127
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
PMPB100ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
BUK663R7-75C,118
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
