Številka izdelka proizvajalca:
BSZ013NE2LS5IATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ013NE2LS5IATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Zaloga:
42096 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799353
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ013NE2LS5IATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Ta), 40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3400 pF @ 12 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ013
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ013NE2LS5IATMA1-DG
448-BSZ013NE2LS5IATMA1CT
448-BSZ013NE2LS5IATMA1TR
448-BSZ013NE2LS5IATMA1DKR
SP001288148
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
BSP149H6906XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC882N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 8TDSON