Številka izdelka proizvajalca:
BSZ050N03MSGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ050N03MSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
9673 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12854399
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ050N03MSGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Ta), 40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3600 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 48W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ050
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ050N03MSGATMA1DKR
BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSG
BSZ050N03MSGATMA1TR
BSZ050N03MS G
BSZ050N03MSGINDKR
BSZ050N03MSGINCT-DG
BSZ050N03MSGATMA1CT
BSZ050N03MSGINDKR-DG
BSZ050N03MSGINTR-DG
BSZ050N03MSGXT
BSZ050N03MSGINTR
SP000311518
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPB80N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IRF6644
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3803PBF
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
