Številka izdelka proizvajalca:
BSZ067N06LS3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ067N06LS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
15945 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12840354
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ067N06LS3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Ta), 20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 35µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5100 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ067
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ067N06LS3G
BSZ067N06LS3GINCT-DG
SP000451080
BSZ067N06LS3GATMA1CT
BSZ067N06LS3GATMA1DKR
BSZ067N06LS3GINTR-DG
BSZ067N06LS3GINCT
BSZ067N06LS3GATMA1TR
BSZ067N06LS3GINDKR
BSZ067N06LS3 G
BSZ067N06LS3GINDKR-DG
BSZ067N06LS3GINTR
BSZ067N06LS3GZT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
FDD3672
MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FDMC8884
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
