Številka izdelka proizvajalca:
BSZ068N06NSATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ068N06NSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Zaloga:
7792 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799265
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ068N06NSATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.3V @ 20µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1500 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 46W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ068
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ068N06NSATMA1-DG
IFEINFBSZ068N06NSATMA1
2156-BSZ068N06NSATMA1
BSZ068N06NSATMA1CT
SP001067002
BSZ068N06NSATMA1TR
BSZ068N06NSATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
BSP135H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4