Številka izdelka proizvajalca:
BSZ0904NSIATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ0904NSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Zaloga:
14991 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12824930
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ0904NSIATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Ta), 40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1463 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Body)
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ0904
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ0904NSIATMA1CT
SP000854390
BSZ0904NSIATMA1DKR
BSZ0904NSIDKR-DG
2156-BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSITR
BSZ0904NSICT
BSZ0904NSI
BSZ0904NSIDKR
BSZ0904NSICT-DG
BSZ0904NSITR-DG
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI3139K-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
SI2305B-TP
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
SI2306-TP
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
