Številka izdelka proizvajalca:
BSZ0910NDXTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ0910NDXTMA1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 1.9W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PG-WISON-8
Zaloga:
12799617
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ0910NDXTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800pF @ 15V
Moč - največja
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Paket naprav dobavitelja
PG-WISON-8
Osnovna številka izdelka
BSZ0910
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-BSZ0910NDXTMA1-448
BSZ0910NDXTMA1-DG
BSZ0910NDXTMA1CT
BSZ0910NDXTMA1TR
BSZ0910NDXTMA1DKR
SP001699886
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8
BSO4804
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
