Številka izdelka proizvajalca:
BSZ120P03NS3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Podroben opis:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
19982 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799281
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ120P03NS3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta), 40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.1V @ 73µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3360 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ120P03NS3GATMA1CT
BSZ120P03NS3 G-DG
BSZ120P03NS3GATMA1TR
SP000709736
BSZ120P03NS3 G
BSZ120P03NS3GATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BSP320SL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
BSC205N10LS G
MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
