Številka izdelka proizvajalca:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
28939 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799085
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ130N03LSGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta), 35A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
970 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ130
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
BSS84PL6433HTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
