Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ15DC02KDHXTMA1-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Zaloga:
20631 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800128
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ15DC02KDHXTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel Complementary
Funkcija FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.1A, 3.2A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
55mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 110µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
419pF @ 10V
Moč - največja
2.5W
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8-FL
Osnovna številka izdelka
BSZ15DC02
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
BSZ15DC02KDHXTMA1-DG
Tehnični listi
BSZ15DC02KDHXTMA1
Dodatne informacije
Druga imena
SP000961028
2156-BSZ15DC02KDHXTMA1
BSZ15DC02KDHXTMA1-DG
INFINFBSZ15DC02KDHXTMA1
BSZ15DC02KDHXTMA1CT
BSZ15DC02KDHXTMA1DKR
BSZ15DC02KDHXTMA1TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPG20N04S409ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
FS45MR12W1M1B11BOMA1
SIC 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
FF45MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
BTS7904SAKSA1
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220