Številka izdelka proizvajalca:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSZ180P03NS3EGATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Podroben opis:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Zaloga:
7934 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799533
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSZ180P03NS3EGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.1V @ 48µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2220 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSDSON-8
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSZ180
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3EGATMA1TR
BSZ180P03NS3E G-DG
BSZ180P03NS3EGATMA1CT
BSZ180P03NS3EGATMA1DKR
SP000709740
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
BSC035N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
