FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Številka izdelka proizvajalca:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

FF17MR12W1M1HB70BPSA1-DG

Opis:

SIC 1200V AG-EASY1B
Podroben opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Chassis Mount AG-EASY1B

Zaloga:

21 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12994032
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FF17MR12W1M1HB70BPSA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tray
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracijo
-
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200V (1.2kV)
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
-
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket / Primer
Module
Paket naprav dobavitelja
AG-EASY1B
Osnovna številka izdelka
FF17MR12

Dodatne informacije

Druga imena
SP005634488
448-FF17MR12W1M1HB70BPSA1
Standardni paket
24

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NXV08B800DT1

MOSFET 80V APM17-MDC

goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363