FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Številka izdelka proizvajalca:

FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

FS55MR12W1M1HB11NPSA1-DG

Opis:

SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B
Podroben opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 15A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1B

Zaloga:

21 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12973919
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tray
Serije
EasyPACK™, CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracijo
6 N-Channel (Full Bridge)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200V (1.2kV)
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tj)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
79mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.15V @ 6mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 18V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350pF @ 800V
Moč - največja
-
Delovna temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket / Primer
Module
Paket naprav dobavitelja
AG-EASY1B
Osnovna številka izdelka
FS55MR12

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SP005551133
448-FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Standardni paket
24

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
microchip-technology

MSCSM70DUM10T3AG

SIC 2N-CH 700V 241A SP3F

microchip-technology

MSCSM70AM025CD3AG

SIC 700V 538A D3

panjit

PJS6815_S1_00001

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A SOT23-6

panjit

PJT7828_R1_00001

MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363