Številka izdelka proizvajalca:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IAUS165N08S5N029ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Podroben opis:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Zaloga:
1374 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802889
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IAUS165N08S5N029ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
165A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 108µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6370 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
167W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HSOG-8-1
Paket / Primer
8-PowerSMD, Gull Wing
Osnovna številka izdelka
IAUS165
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IAUS165N08S5N029ATMA1DKR
IAUS165N08S5N029ATMA1TR
IAUS165N08S5N029ATMA1CT
SP001643350
2156-IAUS165N08S5N029ATMA1
Standardni paket
1,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA60R180P7SXKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
IPI80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
