Številka izdelka proizvajalca:
IAUT260N10S5N019ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Podroben opis:
N-Channel 100 V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Zaloga:
3577 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800568
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IAUT260N10S5N019ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™-5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
260A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 210µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11830 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HSOF-8-1
Paket / Primer
8-PowerSFN
Osnovna številka izdelka
IAUT260
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IAUT260N10S5N019DKR-DG
IAUT260N10S5N019
IAUT260N10S5N019CT-DG
IAUT260N10S5N019ATMA1DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1CT
IAUT260N10S5N019ATMA1TR
SP001676336
IAUT260N10S5N019DKR
IAUT260N10S5N019ATMA1-DG
IAUT260N10S5N019CT
IAUT260N10S5N019TR-DG
IAUT260N10S5N019TR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3