Številka izdelka proizvajalca:
IDYH25G200C5XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IDYH25G200C5XKSA1-DG
Opis:
SIC DISCRETE
Podroben opis:
Zaloga:
13005788
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IDYH25G200C5XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Dodatne informacije
Druga imena
448-IDYH25G200C5XKSA1
SP005716865
Standardni paket
240
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJQ4546P-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IDYH50G200C5XKSA1
SIC DISCRETE
GAN3R2-100CBEAZ
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
