Številka izdelka proizvajalca:
IGO60R070D1AUMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IGO60R070D1AUMA2-DG
Opis:
GAN HV
Podroben opis:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-85
Zaloga:
12967530
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IGO60R070D1AUMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolGaN™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (maks)
-10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
380 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-DSO-20-85
Paket / Primer
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Osnovna številka izdelka
IGO60
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-IGO60R070D1AUMA2TR
SP005557222
448-IGO60R070D1AUMA2DKR
448-IGO60R070D1AUMA2CT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SJ636-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
H7N0608LS90TL-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
BSS138BKAHZGT116
NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
