Številka izdelka proizvajalca:
IMBG65R022M1HXTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IMBG65R022M1HXTMA1-DG
Opis:
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Podroben opis:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Zaloga:
963 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12973936
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IMBG65R022M1HXTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
64A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
30mOhm @ 41.1A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.7V @ 12.3mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2288 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7-12
Paket / Primer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Osnovna številka izdelka
IMBG65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IMBG65R022M1HXTMA1CT
448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR
SP005539143
448-IMBG65R022M1HXTMA1TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJL9430A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
RVQ040N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
IPB65R230CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
