IMT65R039M1HXUMA1
Številka izdelka proizvajalca:

IMT65R039M1HXUMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

IMT65R039M1HXUMA1-DG

Opis:

SILICON CARBIDE MOSFET
Podroben opis:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

Zaloga:

2000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12989138
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IMT65R039M1HXUMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
-
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
-
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
-
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-HSOF-8-1
Paket / Primer
8-PowerSFN

Dodatne informacije

Druga imena
448-IMT65R039M1HXUMA1DKR
448-IMT65R039M1HXUMA1CT
SP005716838
448-IMT65R039M1HXUMA1TR
Standardni paket
2,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2 (1 Year)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IPTG044N15NM5ATMA1

TRENCH >=100V

utd-semiconductor

STD35NF06L

TO-252 MOSFETS ROHS

anbon-semiconductor

AS3401

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

anbon-semiconductor

AS2312

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE