Številka izdelka proizvajalca:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Zaloga:
58 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800230
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IMW120R045M1XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
52A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
5.7V @ 10mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (maks)
+20V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1900 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
228W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-41
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IMW120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
MSC025SMA120B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
30
ŠTEVILKA DELA
MSC025SMA120B-DG
CENA ENOTE
28.12
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
