Številka izdelka proizvajalca:
IMZA65R048M1HXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IMZA65R048M1HXKSA1-DG
Opis:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Podroben opis:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Zaloga:
567 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12810865
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IMZA65R048M1HXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
39A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
64mOhm @ 20.1A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.7V @ 6mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1118 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-4-3
Paket / Primer
TO-247-4
Osnovna številka izdelka
IMZA65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IMZA65R048M1HXKSA1
2156-IMZA65R048M1HXKSA1
SP005398433
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF