Številka izdelka proizvajalca:
IPA028N08N3GXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA028N08N3GXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
Podroben opis:
N-Channel 80 V 89A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
12851600
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA028N08N3GXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
89A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 89A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
14200 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA028
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPA028N08N3GXKSA1
IPA028N08N3 G-DG
2156-IPA028N08N3GXKSA1
IPA028N08N3G
IPA028N08N3 G
SP000446770
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK100A08N1,S4X
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
TK100A08N1,S4X-DG
CENA ENOTE
1.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
R6012JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
IRFR210BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
FDP8440
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220