Številka izdelka proizvajalca:
IPA030N10NF2SXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA030N10NF2SXKSA1-DG
Opis:
TRENCH >=100V PG-TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 83A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Zaloga:
28 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12959092
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA030N10NF2SXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
StrongIRFET™ 2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
83A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 169µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7300 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
41W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP005538815
2156-IPA030N10NF2SXKSA1
448-IPA030N10NF2SXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
IPTC012N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
