Številka izdelka proizvajalca:
IPA040N08NM5SXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA040N08NM5SXKSA1-DG
Opis:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
490 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12997279
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA040N08NM5SXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 109µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6400 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
39W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPA040N08NM5SXKSA1
SP005351629
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IAUC100N10S5L054ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
R6004ENXC7G
600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
R6530ENXC7G
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
