Številka izdelka proizvajalca:
IPA50R190CEXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA50R190CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Podroben opis:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
735 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804898
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA50R190CEXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CE
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
13V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 510µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1137 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
32W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA50R190
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFIPA50R190CEXKSA2
SP001364312
2156-IPA50R190CEXKSA2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR4104TR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF7353D1TR
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF6622TRPBF
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
