Številka izdelka proizvajalca:
IPA50R800CEXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA50R800CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
Podroben opis:
N-Channel 500 V 4.1A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Zaloga:
307 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13063956
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA50R800CEXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CE
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
13V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 130µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
280 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
26.4W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA50R800
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPA50R800CEXKSA2
SP001217234
ROCINFIPA50R800CEXKSA2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
