Številka izdelka proizvajalca:
IPA60R080P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA60R080P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
136 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12844294
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA60R080P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2180 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
29W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA60R080
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPA60R080P7XKSA1
IFEINFIPA60R080P7XKSA1
SP001658398
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVTFS5820NLWFTWG
MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
NTMTS0D4N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
NVMFS5C450NT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
