Številka izdelka proizvajalca:
IPA60R190P6XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA60R190P6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
188 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799972
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA60R190P6XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 630µ
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1750 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
34W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA60R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001017080
2156-IPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6-DG
INFINFIPA60R190P6XKSA1
IPA60R190P6
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPC95R450P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
