Številka izdelka proizvajalca:
IPA65R150CFDXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA65R150CFDXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Podroben opis:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799484
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA65R150CFDXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
22.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 900µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2340 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
34.7W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA65R
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001977012
448-IPA65R150CFDXKSA2
IPA65R150CFDXKSA2-DG
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON