Številka izdelka proizvajalca:
IPA65R1K5CEXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA65R1K5CEXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
487 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801917
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA65R1K5CEXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 130µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
225 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA65R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPA65R1K5CEXKSA1
SP001429484
ROCINFIPA65R1K5CEXKSA1
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP7NK80ZFP
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
817
ŠTEVILKA DELA
STP7NK80ZFP-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IRFR4105ZTR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPP037N08N3GE8181XKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
