Številka izdelka proizvajalca:
IPA70R360P7SXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA70R360P7SXKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Podroben opis:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Zaloga:
544 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851486
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA70R360P7SXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
517 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
26.4W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA70R360
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001499698
448-IPA70R360P7SXKSA1
IPA70R360P7SXKSA1-DG
2156-IPA70R360P7SXKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
MCH6436-TL-E
MOSFET N-CH 30V 6A 6MCPH
FDMC6675BZ
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
