Številka izdelka proizvajalca:
IPA80R1K4CEXKSA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA80R1K4CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Podroben opis:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Zaloga:
485 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803603
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA80R1K4CEXKSA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 240µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
570 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
31W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA80R1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001313390
ROCINFIPA80R1K4CEXKSA2
2156-IPA80R1K4CEXKSA2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IRFB4620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
IRFR3711ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
