Številka izdelka proizvajalca:
IPA80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Podroben opis:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Zaloga:
112 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804051
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPA80R1K4P7XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
250 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
24W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-31
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
IPA80R1
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPA80R1K4P7XKSA1
SP001422546
ROCINFIPA80R1K4P7XKSA1
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
