Številka izdelka proizvajalca:
IPB017N10N5LFATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB017N10N5LFATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Podroben opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Zaloga:
9941 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801078
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB017N10N5LFATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™-5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.1V @ 270µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
840 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
313W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
IPB017
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB017N10N5LFATMA1DKR
IPB017N10N5LFATMA1CT
SP001503850
IPB017N10N5LFATMA1-DG
IPB017N10N5LFATMA1TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA80R310CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
BSS138NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
