Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPB035N08N3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB035N08N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
977 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800594
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB035N08N3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 155µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8110 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB035
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPx035N08N3 G
HTML tehnični list
IPB035N08N3GATMA1-DG
Tehnični listi
IPB035N08N3GATMA1
Dodatne informacije
Druga imena
IPB035N08N3G
SP000457588
IPB035N08N3 GTR-DG
IPB035N08N3GATMA1TR
IPB035N08N3 GDKR-DG
IPB035N08N3 G-DG
IPB035N08N3GATMA1CT
IPB035N08N3 GCT-DG
IPB035N08N3 GDKR
IPB035N08N3GATMA1DKR
IPB035N08N3 GCT
IPB035N08N3 G
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN3R3-80BS,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
18942
ŠTEVILKA DELA
PSMN3R3-80BS,118-DG
CENA ENOTE
1.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN2R8-80BS,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
51094
ŠTEVILKA DELA
PSMN2R8-80BS,118-DG
CENA ENOTE
1.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDB86366-F085
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
782
ŠTEVILKA DELA
FDB86366-F085-DG
CENA ENOTE
1.71
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STB160N75F3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
970
ŠTEVILKA DELA
STB160N75F3-DG
CENA ENOTE
2.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3