Številka izdelka proizvajalca:
IPB083N15N5LFATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
12803929
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB083N15N5LFATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
105A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.9V @ 134µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
210 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
179W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB083
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB083N15N5LFATMA1TR
IPB083N15N5LFATMA1DKR
SP001503862
2156-IPB083N15N5LFATMA1
IFEINFIPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1CT
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
IRFR3504TRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
