Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPB100N06S3-04
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB100N06S3-04-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12801516
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB100N06S3-04 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 150µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
314 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
14230 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB100N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
IPB100N06S3-04-DG
Tehnični listi
IPB100N06S3-04
Dodatne informacije
Druga imena
IPB100N06S304
2156-IPB100N06S3-04-ITTR
IPB100N06S3-04-DG
IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304ATMA1
IPB100N06S304XT
IPB100N06S3-04INTR
SP000102220
IFEINFIPB100N06S3-04
IPB100N06S3-04INDKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BUK764R0-55B,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
6329
ŠTEVILKA DELA
BUK764R0-55B,118-DG
CENA ENOTE
1.30
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN4R6-60BS,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
10374
ŠTEVILKA DELA
PSMN4R6-60BS,118-DG
CENA ENOTE
0.87
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PSMN004-60B,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
8252
ŠTEVILKA DELA
PSMN004-60B,118-DG
CENA ENOTE
1.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPU060N03L G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPA80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
IPP06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3