Številka izdelka proizvajalca:
IPB108N15N3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB108N15N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
3546 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804746
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB108N15N3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
83A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 160µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3230 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB108
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3GATMA1CT
IPB108N15N3 G-DG
SP000677862
IPB108N15N3 GTR-DG
IPB108N15N3G
IPB108N15N3 GCT-DG
IPB108N15N3 G
IPB108N15N3GATMA1DKR
IPB108N15N3GATMA1TR
2156-IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3 GDKR-DG
INFINFIPB108N15N3GATMA1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3