Številka izdelka proizvajalca:
IPB120N10S405ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB120N10S405ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
6796 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800669
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
9hKn
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB120N10S405ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 120µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6540 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPB120N10S405ATMA1CT
INFINFIPB120N10S405ATMA1
448-IPB120N10S405ATMA1DKR
IPB120N10S405ATMA1-DG
SP001102592
448-IPB120N10S405ATMA1TR
2156-IPB120N10S405ATMA1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPB100N04S2L03ATMA2
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPI60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
