Številka izdelka proizvajalca:
IPB120P04P4L03ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB120P04P4L03ATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Podroben opis:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
12801407
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB120P04P4L03ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 340µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
15000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB120P04P4L03ATMA1CT
IPB120P04P4L03ATMA1DKR
IPB120P04P4L03ATMA1TR
SP000842284
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB120P04P4L03ATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1779
ŠTEVILKA DELA
IPB120P04P4L03ATMA2-DG
CENA ENOTE
1.59
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
BSL372SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
