Številka izdelka proizvajalca:
IPB180N06S4H1ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Podroben opis:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Zaloga:
6672 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803365
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB180N06S4H1ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
21900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
IPB180
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IFEINFIPB180N06S4H1ATMA2
2156-IPB180N06S4H1ATMA2
448-IPB180N06S4H1ATMA2CT
SP001028786
448-IPB180N06S4H1ATMA2TR
448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB120N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF1404ZGPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3