Številka izdelka proizvajalca:
IPB180P04P4L02ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB180P04P4L02ATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Podroben opis:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Zaloga:
12801245
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB180P04P4L02ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 410µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
286 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
18700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7-3
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
IPB180
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
IPB180P04P4L02ATMA1DKR
IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
IPB180P04P4L02ATMA1CT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB180P04P4L02ATMA2
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
4559
ŠTEVILKA DELA
IPB180P04P4L02ATMA2-DG
CENA ENOTE
1.74
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IPD65R660CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
