Številka izdelka proizvajalca:
IPB45P03P4L11ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB45P03P4L11ATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Zaloga:
12799738
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB45P03P4L11ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
45A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 85µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+5V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3770 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
58W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB45P03
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000396276
2156-IPB45P03P4L11ATMA1
INFINFIPB45P03P4L11ATMA1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB60R160P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
BTS282ZE3180AATMA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
