Številka izdelka proizvajalca:
IPB60R040C7ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB60R040C7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
1251 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804493
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB60R040C7ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1.24mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4340 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Osnovna številka izdelka
IPB60R040
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-IPB60R040C7ATMA1TR
IPB60R040C7ATMA1CT
IPB60R040C7ATMA1-DG
SP001277610
IPB60R040C7ATMA1DKR
IPB60R040C7ATMA1TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFZ46NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IPB77N06S212ATMA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IRF6668TR1
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ