Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPB60R280P6ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB60R280P6ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
990 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12803586
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB60R280P6ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ P6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 430µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1190 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB60R280
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPx60R280P6
HTML tehnični list
IPB60R280P6ATMA1-DG
Tehnični listi
IPB60R280P6ATMA1
Dodatne informacije
Druga imena
448-IPB60R280P6ATMA1CT
448-IPB60R280P6ATMA1TR
IPB60R280P6ATMA1-DG
SP001364468
448-IPB60R280P6ATMA1DKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB23N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
209
ŠTEVILKA DELA
STB23N80K5-DG
CENA ENOTE
2.29
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
R6015ENJTL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
4
ŠTEVILKA DELA
R6015ENJTL-DG
CENA ENOTE
1.65
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
IRFIZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP
IRFZ46NS
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IRF6620TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET