Številka izdelka proizvajalca:
IPB65R095C7ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB65R095C7ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
3399 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800173
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB65R095C7ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2140 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
128W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB65R095
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IPB65R095C7ATMA2CT
2156-IPB65R095C7ATMA2TR
IPB65R095C7ATMA2TR
IPB65R095C7ATMA2DKR
SP002447562
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPI60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
BTS121ANKSA1
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
