Številka izdelka proizvajalca:
IPB65R110CFDATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB65R110CFDATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
1980 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800962
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB65R110CFDATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ CFD2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.3mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3240 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
277.8W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB65R110
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001977034
448-IPB65R110CFDATMA2CT
448-IPB65R110CFDATMA2DKR
IPB65R110CFDATMA2-DG
448-IPB65R110CFDATMA2TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPDH6N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3