Številka izdelka proizvajalca:
IPB65R125C7ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB65R125C7ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
998 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12805192
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB65R125C7ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 440µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1670 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
101W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB65R125
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP002447564
IPB65R125C7ATMA2DKR
IPB65R125C7ATMA2CT
IPB65R125C7ATMA2TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB36NM60N
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
STB36NM60N-DG
CENA ENOTE
3.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPW12N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
IRLU3114ZPBF
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
IRFH7923TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
