Številka izdelka proizvajalca:
IPB65R280E6ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB65R280E6ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
12804880
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB65R280E6ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
CoolMOS™ E6
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 440µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
950 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB65R
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000795274
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFI540NPBF
MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
IPP120N20NFDAKSA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
